|
————电子元器件专家 |
Sairem 射频源、微波源、等离子体源 |
|
|
|
2. Surfaguide 等离子体源 该源于介电管中通过表面波产生等离子体。波导高度较低以增强微波电场、助然并保持等离子体。该源适于 几个mbar 到常压工作。 技术指标 ： 压力在几mbar-常压；最大功率6KW. 气体种类 Ar, N2, O2, 空气等。 应用：生成活性粒子，表面激化，PECVD, 气体减排，气化，UV消毒,纳米粉末合成。工作 压力10-2 mba到10-1 mba 可以得到密度等离子体，其强度高于 1012 cm-3
|
|
3. S-Wave 等离子体源 S –Wave 源是一种微波传输并发射表面电磁波的发生器。它采用直径6毫米或者8毫米的绝缘管该源适合产生受激态物质。当应用于测试分析时，推荐采用Sairem 的低杂散固态发生器 GMS200W.以消除 供电频率50、60Hz带来的杂散。 技术指标 ：压力几个10-2mbar– 几bar；最大功率 300W; 气体种类 氩Ar, 或者常 压下氩的混合气体, 所有气体处于减压下。 应用 ：生成活性粒子，表面激化，元素分析等。
|
|
|
|
北京智联兴达科贸有限公司 北京市丰台区小屯路108号2-4-1002 邮编 100166 Tel: 86-10-88635757 Fax:86-10– 88636834 E - mail: sales@componentexpert.com E - mail: 3378138744@qq.com |
|
1. Downstream 等离子体源 该表面波式等离子体源是在直径20-60毫米绝缘管内产生等离子体。该管放置在WR340标准波导内. 据压力、微波功率及气体产生并维持等离子体柱。技术指标：压力几个10-2mba– 常压；最大功率 6KW ; 气体种类 Ar, N2, O2, 空气等。 应用 ：生成活性粒子，表面激化，PECVD（等离子体增强化学气相沉积），气体减排，气化，UV消毒,纳米粉末合成。 |
|
|
|
915MHz 磁控管 CW, Pulsed 微波源 5KW, 18KW, 35KW,50KW,72KW, 100KW 2.45GHz 磁控管 CW, Pulsed 微波源 2KW, 3KW, 6KW 2.45GHz 固 态 微波源 200W, 450W, 1KW 10.0GHz ，11GHz, 14GHz, 14.5GHz, 17.3GHz, 18.1Hz 速调管 微波源 2.2KW 28 GHz 回旋管 微波源 10KW 915 MHz 固态 600W, 450W 等 |
|
4. Aura –Wave ECR 同轴等离子体源 该源设计目的是当等离子体形成后能够自适应工作，结合磁场使得电磁波可以允许等离子体产生于低压10-3 mbar. 技术指标 ： 压力在几个10-4 mbar– 10-1 mbar；最大功率 200W. 气 体种类 Ar, N2, O2, CH4, He、 空气等。 应用 ：大容量等离子体处理，生成活性粒子，PECVD，蚀刻，表面处理【 氮化，清 理 】，灭菌 【 活性物种紫外粒子轰击】等。 |
|
5. Hi —Wave 等离子体源 微波碰撞等离子体源 用于保持过密微波等离子体自10-2 mba 到几个10-1 mbar及自几瓦而无关何种气体 。 技术指标 ：压力在几个10-2mbar– 10-1 mbar；最大功率 300W. 气体种类 Ar, N2, O2, Air, H2, CH4 等。 应用 ：大表面积处理，生成活性粒子，PECVD, 纳米金刚石，蚀刻，表面处理，消毒灭 菌等。 与 Sairem 公司的固态微波源配套使用，该种源可以自几瓦起维持等离子体。为矫正由于工作环境导致的小失陪。固态微波源具备的变频功能以助解决阻抗匹配。多元巨阵配置，Hi –Wave 等离子体源可用于大面处理，工作 压力10-2 mba到10-1 mba 可以得到密度等离子体，其强度高于 1012 cm-3 |
|
6. ICP 13.56MHz, 27.12MHz 等离子体源 【 电感耦合放电等离子体源】工作于无线频率并产生感性等离子体。射频功率加在缠绕绝缘管的金属线圈上，施加在线圈的射频电流感应出变化的磁场以及施加在线圈间产生的潜 在电场会在绝缘管内产生等离子体。 技术指标 ：压力在几个10-2mbar– 几个100 smbar；最大功率 2KW. 气体种类 Ar, N2, O2, 空气等。 应用: 生成活性粒子， 表面活化，PECVD |
